PHB119NQ06T,118
![](/img-new/pdf.png)
PHB119NQ06T,118 datasheet
-
МаркировкаPHB119NQ06T,118
-
ПроизводительNXP Semiconductors
-
ОписаниеNXP Semiconductors PHB119NQ06T,118 Configuration: Single Continuous Drain Current: 75 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 75A Drain To Source Voltage (vdss): 55V Drain-source Breakdown Voltage: 55 V Fet Feature: Standard Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Gate Charge (qg) @ Vgs: 53nC @ 10V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 2820pF @ 25V Maximum Operating Temperature: + 175 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: D??Pak, TO-263 (2 leads + tab) Power - Max: 200W Power Dissipation: 200 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 7.1 mOhm @ 25A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 0.0071 Ohms Series: TrenchMOS?„? Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 1mA Product Category: MOSFET RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.0071 Ohms Fall Time: 41 ns Rise Time: 52 ns Factory Pack Quantity: 800 Typical Turn-Off Delay Time: 77 ns Part # Aliases: /T3 PHB119NQ06T Other Names: 934058551118, PHB119NQ06T /T3
-
Количество страниц13 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.</p> <p>Серия испытательных тестов завершила проверку новейшего полевого транзистора (FET) производства компании Ancora Semiconductor Inc. Полевой транзистор оснащен двусторонним охлаждением на основе нитрида галлия.</p>](/images/cache/eefa7369dc859937359cc8c9ccfe5fcf.jpg)
16.07.2024
![<p>Продукция компании Infineon Technologies AG — силовые модули — лучшие в обеспечении энергоэффективности центров обработки данных искусственного интеллекта. Представленные силовые модули серии Infineon серии TDM2254xD поднимают планку стандартов плотности мощности, качества и общей эффективности затрат.</p> <p>Продукция компании Infineon Technologies AG — силовые модули — лучшие в обеспечении энергоэффективности центров обработки данных искусственного интеллекта. Представленные силовые модули серии Infineon серии TDM2254xD поднимают планку стандартов плотности мощности, качества и общей эффективности затрат.</p>](/images/cache/fe1444c739351f9ecbee9b6038d3aa10.jpg)
11.07.2024
![<p>Компания STMicroelectronics свое новое изделие — модуль 3D LiDAR (Light Detection And Ranging). Датчик ToF (Time-of-Flight), созданный по принципу "все в одном", обладает высочайшим разрешением 2.3k и является самым компактным устройством с разрешением в 50 0тыс. пикселей.</p> <p>Компания STMicroelectronics свое новое изделие — модуль 3D LiDAR (Light Detection And Ranging). Датчик ToF (Time-of-Flight), созданный по принципу "все в одном", обладает высочайшим разрешением 2.3k и является самым компактным устройством с разрешением в 50 0тыс. пикселей.</p>](/images/cache/8898dec715486440e7e51b589ebbe03b.jpg)
10.07.2024